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訂 貨 號(hào):FOD8342R2 品牌:安森美_Onsemi
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
FOD 8342T -8 mm 爬電距離和間隙距離,以及 0.4 mm 絕緣距離,實(shí)現(xiàn)可靠的高電壓絕緣
3.0A Peak Output Current Driving Capability for Medium Power IGBT / MOSFET - 在輸出級(jí)使用 P 通道 MOSFET ,輸出電壓擺幅接近電源軌
20 kV/μ s 最小共模抑制
寬電源電壓范圍: 10V 至 30V
全工作溫度范圍內(nèi)的快速開關(guān)速度 - 210ns 最大傳播延遲 -65ns 最大脈沖寬度失真欠壓鎖定 (UVLO) ,具有滯后
擴(kuò)展工業(yè)溫帶范圍: -40 ° C 至 100 ° C
應(yīng)用
交流和無刷直流電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器
工業(yè)逆變器
不間斷電源
感應(yīng)加熱
隔離 IGBT / 功率 MOSFET 閘極驅(qū)動(dòng)器
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
安裝類型 | 表面安裝 |
輸出設(shè)備 | IGBT,MOSFET |
最大正向電壓 | 1.8V |
通道數(shù)目 | 1 |
針數(shù)目 | 6 |
封裝類型 | SOIC |
典型上升時(shí)間 | 38ns |
最大輸入電流 | 10 mA |
隔離電壓 | 5 KVrms |
邏輯輸出 | 是 |
典型下降時(shí)間 | 24ns |