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訂 貨 號(hào):SEMiX303GB12E4p 品牌:賽米控_Semikron
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:
品牌商價(jià):¥2323.38
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
Semikron 的雙 IGBT 模塊采用現(xiàn)代薄型 SEMiX? 封裝,適用于半橋電源控制應(yīng)用。 該模塊使用無(wú)焊接彈簧或壓配安裝觸點(diǎn),允許柵極驅(qū)動(dòng)器直接安裝在模塊頂部,可節(jié)省空間,且可提供更大的連接可靠性。 典型應(yīng)用包括交流反相器驅(qū)動(dòng)器、UPS、電子焊接和可再生能源系統(tǒng)。
有關(guān)合適的壓配柵極驅(qū)動(dòng)器模塊,請(qǐng)參見(jiàn) 122-0385 至 122-0387
? 薄型無(wú)焊接安裝封裝
? Trenchgate 技術(shù) IGBT
? VCE(sat) 具有正溫度系數(shù)
? 高短路電流能力
? 壓配引腳可用作輔助觸點(diǎn)
? UL 認(rèn)證
絕緣柵級(jí)雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導(dǎo)體設(shè)備,以高效和快速切換著稱(chēng)。 IGBT 通過(guò)將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開(kāi)關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個(gè)設(shè)備中,將 MOSFET 的簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
最大連續(xù)集電極電流 | 469 A |
最大集電極-發(fā)射極電壓 | 1200 V |
最大柵極發(fā)射極電壓 | 20V |
封裝類(lèi)型 | SEMiX?3p |
配置 | 串行 |
安裝類(lèi)型 | 通孔 |
通道類(lèi)型 | N |
引腳數(shù)目 | 11 |
晶體管配置 | 串行 |
尺寸 | 150 x 62.4 x 17mm |